NXP Semiconductors PSMN018-100ESFQ - NXP Semiconductors FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

NXP Semiconductors PSMN018-100ESFQ

NEXPERIA PSMN018 - NEXTPOWER 100

  • Производитель: НХП Полупроводники
  • Номер производителя: NXP Semiconductors PSMN018-100ESFQ
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 4
  • Артикул: ПСМН018-100ESFQ
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,3700

Дополнительная цена:$0,3700

Подробности

Теги

Параметры
Производитель НХП Полупроводники
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 53А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 7В, 10В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 18 мОм при 15 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В при 1 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 21,4 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1482 пФ при 50 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 111 Вт (Та)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования И2ПАК
Пакет/ключи ТО-262-3 Длинные выводы, I²Pak, ТО-262AA
Уровень чувствительности к влаге (MSL) Поставщик не определен
Статус REACH REACH не касается
Другие имена 2156-ПСМН018-100ESFQ-954
Стандартный пакет 1
N-канал 100 В 53 А (Ta) 111 Вт (Ta) Сквозное отверстие I2PAK