NXP Semiconductors PSMN070-200B,118 - NXP Semiconductors FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

NXP Semiconductors PSMN070-200B,118

НЕКСПЕРИЯ ПСМН070 - 35А, 200В, 0.

  • Производитель: НХП Полупроводники
  • Номер производителя: NXP Semiconductors PSMN070-200B,118
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 6795
  • Артикул: ПСМН070-200Б,118
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,0900

Дополнительная цена:$1,0900

Подробности

Теги

Параметры
Производитель НХП Полупроводники
Ряд ТренчМОС™
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 200 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 35А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 70 мОм при 17 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В @ 1 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 77 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4570 пФ при 25 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 250 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования Д2ПАК
Пакет/ключи ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ
Уровень чувствительности к влаге (MSL) Поставщик не определен
Статус REACH REACH не касается
Другие имена 2156-ПСМН070-200Б,118-954
Стандартный пакет 1
Н-канальный 200 В 35 А (Tc) 250 Вт (Tc) для поверхностного монтажа D2PAK