NXP Semiconductors PSMN1R1-30PL,127

НЕКСПЕРИЯ ПСМН1Р1-30ПЛ - 120А, 30

Производитель: НХП Полупроводники
Номер производителя: NXP Semiconductors PSMN1R1-30PL,127
Упаковка: Масса
Техническая спецификация: PDF
Запас: 7474
Артикул: ПСМН1Р1-30ПЛ,127
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Параметры
Производитель	НХП Полупроводники
Ряд	-
Упаковка	Масса
Статус продукта	Активный
Тип полярного транзистора	N-канал
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	120А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	1,3 мОм при 25 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	2,2 В при 1 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	243 НК при 10 В
ВГС (Макс)	±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	14850 пФ при 15 В
Особенность левого транзистора	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	338 Вт (Тс)
Рабочая температура	-55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования	ТО-220АБ
Пакет/ключи	ТО-220-3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	Непригодный
Статус REACH	REACH не касается
Другие имена	2156-ПСМН1Р1-30ПЛ,127-954
Стандартный пакет	1

Н-канальный 30 В 120 А (Tc) 338 Вт (Tc) Сквозное отверстие ТО-220АБ