NXP Semiconductors PSMN1R8-30PL,127 - NXP Semiconductors FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

NXP Semiconductors PSMN1R8-30PL,127

НЕКСПЕРИЯ ПСМН1Р8-30ПЛ - 100А, 30

  • Производитель: НХП Полупроводники
  • Номер производителя: NXP Semiconductors PSMN1R8-30PL,127
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 6735
  • Артикул: ПСМН1Р8-30ПЛ,127
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,0000

Дополнительная цена:$1,0000

Подробности

Теги

Параметры
Производитель НХП Полупроводники
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 100А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 1,8 мОм при 25 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,15 В при 1 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 170 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 10180 пФ при 12 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 270 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-220АБ
Пакет/ключи ТО-220-3
Базовый номер продукта ПСМН1Р8
Уровень чувствительности к влаге (MSL) Непригодный
Статус REACH REACH не касается
Другие имена 2156-ПСМН1Р8-30ПЛ,127-954
Стандартный пакет 1
N-канал 30 В 100 А (Tc) 270 Вт (Tc) сквозное отверстие ТО-220AB