NXP Semiconductors PSMN4R3-80PS,127 - NXP Semiconductors FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

NXP Semiconductors PSMN4R3-80PS,127

НЕКСПЕРИЯ ПСМН4Р3-80ПС - 120А, 80

  • Производитель: НХП Полупроводники
  • Номер производителя: NXP Semiconductors PSMN4R3-80PS,127
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 4
  • Артикул: ПСМН4Р3-80ПС,127
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,4600

Дополнительная цена:$1,4600

Подробности

Теги

Параметры
Производитель НХП Полупроводники
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 80 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 120А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 4,3 мОм при 25 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В @ 1 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 111 НК @ 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 8161 пФ при 40 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 306 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-220АБ
Пакет/ключи ТО-220-3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) Непригодный
Статус REACH REACH не касается
Другие имена 2156-ПСМН4Р3-80ПС,127-954
Стандартный пакет 207
Н-канал 80 В 120 А (Тс) 306 Вт (Тс) Сквозное отверстие ТО-220АБ