NXP Semiconductors PSMN6R0-30YLB,115 - NXP Semiconductors FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

NXP Semiconductors PSMN6R0-30YLB,115

НЕКСПЕРИЯ PSMN6R0-25YLD - 61А, 25

  • Производитель: НХП Полупроводники
  • Номер производителя: NXP Semiconductors PSMN6R0-30YLB,115
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 5019
  • Артикул: ПСМН6Р0-30ИЛБ,115
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель НХП Полупроводники
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 71А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 6,5 мОм при 20 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 1,95 В @ 1 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 19 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1088 пФ при 15 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 58 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ЛФПАК56, Мощность-СО8
Пакет/ключи СК-100, СОТ-669
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 2156-ПСМН6Р0-30ИЛБ,115-954
Стандартный пакет 1
Н-канальный 30 В 71 А (Tc) 58 Вт (Tc) для поверхностного монтажа LFPAK56, Power-SO8