NXP Semiconductors PSMN6R3-120PS - NXP Semiconductors FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

NXP Semiconductors PSMN6R3-120PS

ПСМН6Р3-120ПС - Н-КАНАЛЬНЫЙ 120В С

  • Производитель: НХП Полупроводники
  • Номер производителя: NXP Semiconductors PSMN6R3-120PS
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 319
  • Артикул: ПСМН6Р3-120ПС
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $2.0100

Дополнительная цена:$2.0100

Подробности

Теги

Параметры
Производитель НХП Полупроводники
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Устаревший
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 120 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 70А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 6,7 мОм при 25 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В @ 1 мА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 207,1 нк при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 11384 пФ при 60 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 405 Вт (Та)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-220АБ
Пакет/ключи ТО-220-3
Статус RoHS не соответствует RoHS
Статус REACH Поставщик не определен
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0075
Другие имена 2156-ПСМН6Р3-120ПС
Стандартный пакет 162
Н-канал 120 В 70 А (Та) 405 Вт (Та) Сквозное отверстие ТО-220АБ