NXP Semiconductors PSMN8R5-100ESFQ

NEXPERIA PSMN8R5 - NEXTPOWER 100

Производитель: НХП Полупроводники
Номер производителя: NXP Semiconductors PSMN8R5-100ESFQ
Упаковка: Масса
Техническая спецификация: PDF
Запас: 1
Артикул: ПСМН8Р5-100ESFQ
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,6900

Дополнительная цена:$0,6900

Подробности

Параметры
Поставщик пакета оборудования	И2ПАК
Пакет/ключи	ТО-262-3 Длинные выводы, I²Pak, ТО-262AA
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	Поставщик не определен
Статус REACH	REACH не касается
Другие имена	2156-PSMN8R5-100ESFQ-954
Стандартный пакет	1
Производитель	НХП Полупроводники
Ряд	-
Упаковка	Масса
Статус продукта	Активный
Тип полярного транзистора	N-канал
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	97А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	7В, 10В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	8,8 мОм при 25 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	4 В при 1 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	44,5 НК при 10 В
ВГС (Макс)	±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	3181 пФ при 50 В
Особенность левого транзистора	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	183 Вт (Та)
Рабочая температура	-55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа	Сквозное отверстие

N-канал 100 В 97 А (Та) 183 Вт (Та) Сквозное отверстие I2PAK