NXP Semiconductors PSMN8R5-100PSFQ - NXP Semiconductors FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

NXP Semiconductors PSMN8R5-100PSFQ

NEXPERIA PSMN8R5 - NEXTPOWER 100

  • Производитель: НХП Полупроводники
  • Номер производителя: NXP Semiconductors PSMN8R5-100PSFQ
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 5458
  • Артикул: ПСМН8Р5-100ПСФК
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель НХП Полупроводники
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 98А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 7В, 10В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 8,7 мОм при 25 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В при 1 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 44,5 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3181 пФ при 50 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 183 Вт (Та)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-220АБ
Пакет/ключи ТО-220-3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) Поставщик не определен
Статус REACH REACH не касается
Другие имена 2156-ПСМН8Р5-100ПСФК-954
Стандартный пакет 1
Н-канал 100 В 98 А (Та) 183 Вт (Та) Сквозное отверстие ТО-220АБ