NXP Semiconductors SA2T18H450W19SR6 - NXP Semiconductors FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

NXP Semiconductors SA2T18H450W19SR6

A2T18H450 - AIRFAST RF POWER LDM

  • Производитель: НХП Полупроводники
  • Номер производителя: NXP Semiconductors SA2T18H450W19SR6
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 25
  • Артикул: SA2T18H450W19SR6
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $214.0800

Дополнительная цена:$214.0800

Подробности

Теги

Параметры
Производитель НХП Полупроводники
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Устаревший
Технология ЛДМОС
Конфигурация Двойной
Частота 1805 ГГц ~ 1,88 ГГц
Прирост 16,6 дБ
Напряжение – Тест 30 В
Текущий рейтинг (А) 10 мкА
Коэффициент шума -
Текущий — Тест 800 мА
Мощность — Выход 89 Вт
Напряжение - номинальное 65 В
Тип монтажа Крепление на шасси
Пакет/ключи НИ-1230С-4С4С
Поставщик пакета оборудования НИ-1230С-4С4С
Статус RoHS не соответствует RoHS
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0075
Другие имена 2156-SA2T18H450W19SR6
Стандартный пакет 1
RF Mosfet 30 В 800 мА 1,805–1,88 ГГц 16,6 дБ 89 Вт NI-1230S-4S4S