Парметр |
Млн | Nxp poluprovoDonnyki |
В припании | - |
Упако | МАССА |
Степень Продукта | Управо |
Тела | LDMOS |
Коунфигура | Дон |
ЧastoTA | 1 805 ~ 1,88 гг. |
Прирост | 16.6db |
В конце | 30 |
Tykuщiй rerйting (amp) | 10 мк |
Ш | - |
ТОК - ТЕСТР | 800 млн |
Питани - В.О. | 89 Вт |
Napraheneee - оинка | 65 |
МОНТАНАНГИП | ШASCI |
PakeT / KORPUES | NI-1230S-4S4S |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | NI-1230S-4S4S |
Статус Ройс | Rohs |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0075 |
Дрогин ИНЕНА | 2156-SA2T18H450W19SR6 |
Станодадж | 1 |
RF MOSFET 30 В 800 мам 1805 гг ~ 1,88 гг 16,6DB 89W NI-1230S-4S4S