Парметр |
Млн | NXP USA Inc. |
В припании | - |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Актифен |
Тела | N-канал |
Коунфигура | N-канал |
ЧastoTA | 2,11 ~ 2,17 гг. |
Прирост | 18,1db |
В конце | 48 |
Tykuщiй rerйting (amp) | - |
Ш | - |
ТОК - ТЕСТР | 500 май |
Питани - В.О. | 59 Вт |
Napraheneee - оинка | 125 |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
PakeT / KORPUES | Ni-400S-2SA |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | Ni-400S-2SA |
Статус Ройс | Rohs3 |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Дрогин ИНЕНА | 568-A3G20S350-01SR3TR |
Станодадж | 250 |
RF MOSFET 48 V 500 MMA 2,11 ГГУ ~ 2,17 ГГА 18,1DB 59W NI-400S-2SA