Парметр |
Млн | NXP USA Inc. |
В припании | - |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Актифен |
Тела | Gan |
Коунфигура | 2 n-канал |
ЧastoTA | 2,3 Гер |
Прирост | 14.3db |
В конце | 48 |
Tykuщiй rerйting (amp) | - |
Ш | - |
ТОК - ТЕСТР | 300 май |
Питани - В.О. | 80 Вт |
Napraheneee - оинка | 125 |
МОНТАНАНГИП | ШASCI |
PakeT / KORPUES | Ni-780-4S2S |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | Ni-780-4S2S |
Статус Ройс | Rohs3 |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Дрогин ИНЕНА | 568-A3G23H500W17SR3TR |
Станодадж | 250 |
RF MOSFET 48 V 300 мам 2,3-ggц ~ 2,4-ggц 14,3db 80W Ni-780-4S2S