Парметр |
Млн | NXP USA Inc. |
В припании | - |
Упако | МАССА |
Степень Продукта | Актифен |
Тела | Gan |
ЧastoTA | 100 мг ~ 2,69 гг. |
Прирост | 13,9db |
В конце | 48 |
Tykuщiй rerйting (amp) | - |
Ш | - |
ТОК - ТЕСТР | 40 май |
Питани - В.О. | 8 Вт |
Napraheneee - оинка | 125 |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
PakeT / KORPUES | 6-ldfn otkrыtaiNe-ploщadka |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 6-pdfn (7x6,5) |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | 3 (168 чASOW) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0075 |
Дрогин ИНЕНА | 568-A3G26D055N-2515 |
Станодадж | 1 |
RF MOSFET 48 V 40 MMA 100 мг ~ 2,69 гг 13,9 ДБ 8W 6-PDFN (7x6,5)