NXP USA Inc. A3G26H502W17SR3
Airfast RF Power Gan Transistor,
- Проиджоделх: NXP USA Inc.
- NoMerPOIзVODITELEL: NXP USA Inc. A3G26H502W17SR3
- Епаково: Lenta и катахка (tr)
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian:-
- ЗapaS: 2685
- Sku: A3G26H502W17SR3
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | NXP USA Inc. |
| В припании | - |
| Упако | Lenta и катахка (tr) |
| Степень Продукта | Актифен |
| Тела | Gan |
| Коунфигура | 2 n-канал |
| ЧastoTA | 2496 гг ~ 2,69 гг. |
| Прирост | 13,1db |
| В конце | 48 |
| Tykuщiй rerйting (amp) | - |
| Ш | - |
| ТОК - ТЕСТР | 370 май |
| Питани - В.О. | 80 Вт |
| Napraheneee - оинка | 125 |
| МОНТАНАНГИП | ШASCI |
| PakeT / KORPUES | Ni-780-4S2S |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | Ni-780-4S2S |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.29.0095 |
| Дрогин ИНЕНА | 568-A3G26H502W17SR3TR |
| Станодадж | 250 |
RF MOSFET 48 V 370 мам 2 496 гг ~ 2,69 гг 13,1DB 80W NI-780-4S2S
Болх
- Vishay Siliconix IRF510
- Vishay Siliconix IRF9510
- Vishay Siliconix IRFD9220
- Vishay Siliconix IRF840
- Vishay Siliconix IRFD110
- Vishay Siliconix IRFD9113
- Vishay Siliconix IRFD210
- Vishay Siliconix IRFD9110
- Vishay Siliconix IRFD9120
- Vishay Siliconix IRF9630
- Vishay Siliconix IRF610
- Vishay Siliconix IRF530
- Vishay Siliconix IRF620
- Vishay Siliconix IRF730
- Vishay Siliconix IRF740