Парметр |
Млн | NXP USA Inc. |
В припании | - |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Актифен |
Тела | LDMOS |
Коунфигура | Дон |
ЧastoTA | 2,3 -ggц ~ 2,69 ggц |
Прирост | 29,2db |
В конце | 28 |
Tykuщiй rerйting (amp) | 10 мк |
Ш | - |
ТОК - ТЕСТР | 175 млн |
Питани - В.О. | 8,3 |
Napraheneee - оинка | 65 |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
PakeT / KORPUES | Вернат 270-17 |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | ДО-270WBG-17 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8542.33.0001 |
Дрогин ИНЕНА | 568-A3I25D080GNR1TR |
Станодадж | 500 |
RF MOSFET 28 V 175 MMA 2,3 ГГГА ~ 2,69 ГОГ 29,2DB 8,3-270WBG-17