NXP USA Inc. A3I25D080GNR1 - NXP USA Inc. FETS, MOSFET - BOM, Distributor, Quick Cotatation 365Day Гарантия
product_banner

NXP USA Inc. A3I25D080GNR1

Airfast RF Power Gan Transistor

  • Проиджоделх: NXP USA Inc.
  • NoMerPOIзVODITELEL: NXP USA Inc. A3I25D080GNR1
  • Епаково: Lenta и катахка (tr)
  • Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
  • ЗapaS: 6205
  • Sku: A3I25D080GNR1
  • Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ЦENA EDINIцы: $30.4350

Эkst цena:$30.4350

Подрэбной

ТЕГИ

Парметр
Млн NXP USA Inc.
В припании -
Упако Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта Актифен
Тела LDMOS
Коунфигура Дон
ЧastoTA 2,3 -ggц ~ 2,69 ggц
Прирост 29,2db
В конце 28
Tykuщiй rerйting (amp) 10 мк
Ш -
ТОК - ТЕСТР 175 млн
Питани - В.О. 8,3
Napraheneee - оинка 65
МОНТАНАНГИП Пефер
PakeT / KORPUES Вернат 270-17
ПАКЕТИВАЕТСЯ ДО-270WBG-17
Статус Ройс Rohs3
Доусейн Статуса DOSTISH
Eccn Ear99
Htsus 8542.33.0001
Дрогин ИНЕНА 568-A3I25D080GNR1TR
Станодадж 500
RF MOSFET 28 V 175 MMA 2,3 ГГГА ~ 2,69 ГОГ 29,2DB 8,3-270WBG-17