NXP USA Inc. A3I25D080NR1 - NXP USA Inc. FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

NXP USA Inc. A3I25D080NR1

ИНТЕГРИРОВАННАЯ МОЩНОСТЬ AIRFAST RF LDMOS

  • Производитель: NXP США Инк.
  • Номер производителя: NXP USA Inc. A3I25D080NR1
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 1730 г.
  • Артикул: А3И25Д080НР1
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $29.5050

Дополнительная цена:$29.5050

Подробности

Теги

Параметры
Производитель NXP США Инк.
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Технология ЛДМОС
Конфигурация Двойной
Частота 2,3 ГГц ~ 2,69 ГГц
Прирост 29,2 дБ
Напряжение - Тест 28 В
Текущий рейтинг (А) 10 мкА
Коэффициент шума -
Текущий — Тест 175 мА
Мощность — Выход 8,3 Вт
Напряжение - номинальное 65 В
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи Вариант ТО-270-17, плоские выводы
Поставщик пакета оборудования ТО-270ВБ-17
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 3 (168 часов)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8542.33.0001
Стандартный пакет 500
RF Mosfet 28 В 175 мА 2,3 ГГц ~ 2,69 ГГц 29,2 дБ 8,3 Вт TO-270WB-17