Парметр |
Млн | NXP USA Inc. |
В припании | - |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Актифен |
Тела | LDMOS (DVOйNOй) |
Коунфигура | 2 n-канал |
ЧastoTA | 2,3 -ggц ~ 2,7gц |
Прирост | 28,8db @ 2,59 гг. |
В конце | 28 |
Tykuщiй rerйting (amp) | 10 мк |
Ш | - |
ТОК - ТЕСТР | 130 май |
Питани - В.О. | 5,6 Вт |
Napraheneee - оинка | 65 |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
PakeT / KORPUES | OM-400-8 |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | OM-400-8 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8542.33.0001 |
Дрогин ИНЕНА | 568-A3I25X050NR1TR |
Станодар | 500 |
RF MOSFET 28 V 130 MA 2,3 ГГА ~ 2,7 ГГГ 28,8 ДБ ПРИ