Парметр |
Млн | NXP USA Inc. |
В припании | - |
Упако | МАССА |
Степень Продукта | Актифен |
Тела | - |
Коунфигура | - |
ЧastoTA | 2496 гг ~ 2,69 гг. |
Прирост | 17,7db |
В конце | 48 |
Tykuщiй rerйting (amp) | - |
Ш | - |
ТОК - ТЕСТР | 50 май |
Питани - В.О. | 15 Вт |
Napraheneee - оинка | 125 |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
PakeT / KORPUES | 6-ldfn otkrыtaiNe-ploщadka |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 6-pdfn (7x6,5) |
Статус Ройс | Rohs3 |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Дрогин ИНЕНА | 568-A5G26H110N-2496 |
Станодар | 1 |
RF MOSFET 48 V 50 MMA 2,496 ГГА ~ 2,69 ГГГА 17,7DB 15W 6-PDFN (7x6,5)