Парметр |
Млн | NXP USA Inc. |
В припании | - |
Упако | МАССА |
Степень Продукта | Актифен |
Тела | LDMOS (DVOйNOй) |
Коунфигура | 2 n-канал |
ЧastoTA | 960 мг ~ 1 215 гг. |
Прирост | 19.6db |
В конце | 50 |
Tykuщiй rerйting (amp) | 10 мк |
Ш | - |
ТОК - ТЕСТР | 100 май |
Питани - В.О. | 1000 вес |
Napraheneee - оинка | 112 |
МОНТАНАНГИП | ШASCI |
PakeT / KORPUES | NI-1230-4S |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | NI-1230-4S |
Статус Ройс | Rohs3 |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Дрогин ИНЕНА | 568-AFV121KH-960 мг |
Станодар | 1 |
RF MOSFET 50- 100 мам 960 мг ~ 1 215 гг 19,6 дБ 1000-NI-1230-4S