Парметр | |
---|---|
Млн | NXP USA Inc. |
В припании | - |
Упако | МАССА |
Степень Продукта | Управо |
Тела | LDMOS |
ЧastoTA | 1,03 ~ 1,09 -ggц |
Прирост | 13 дБ |
В конце | 36 |
Tykuщiй rerйting (amp) | - |
Ш | - |
ТОК - ТЕСТР | 150 май |
Питани - В.О. | 200 th |
Napraheneee - оинка | 75 |
МОНТАНАНГИП | ШASCI |
PakeT / KORPUES | SOT-502B |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | SOT502B |
Статус Ройс | Rohs3 |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0075 |
Станодар | 20 |