Парметр | |
---|---|
Млн | NXP USA Inc. |
В припании | - |
Упако | МАССА |
Степень Продукта | Актифен |
Тела | LDMOS |
ЧastoTA | 2,45 ГОГ |
Прирост | 19db |
В конце | 28 |
Tykuщiй rerйting (amp) | - |
Ш | - |
ТОК - ТЕСТР | 1,3 а |
Питани - В.О. | 140 Вт |
Napraheneee - оинка | 65 |
Htsus | 0000.00.0000 |
Станодадж | 1 |