Парметр | |
---|---|
Млн | NXP USA Inc. |
В припании | - |
Упако | Поднос |
Степень Продукта | Управо |
Тела | LDMOS |
ЧastoTA | 871,5 мг ~ 891,5 мгги |
Прирост | 21 дБ |
В конце | 28 |
Tykuщiй rerйting (amp) | 32а |
Ш | - |
ТОК - ТЕСТР | 950 май |
Питани - В.О. | 26,5 |
Napraheneee - оинка | 65 |
МОНТАНАНГИП | ШASCI |
PakeT / KORPUES | SOT-502B |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | SOT502B |
Статус Ройс | Rohs3 |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0075 |
Станодар | 20 |