NXP USA Inc. BLF6G10LS-135RN112
Power LDMOS Transistor, SOT502 (
- Проиджоделх: NXP USA Inc.
- NoMerPOIзVODITELEL: NXP USA Inc. BLF6G10LS-135RN112
- Епаково: МАССА
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian:-
- ЗapaS: 92
- Sku: BLF6G10LS-135RN112
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | NXP USA Inc. |
| В припании | * |
| Упако | МАССА |
| Степень Продукта | Актифен |
| Статус Ройс | Neprigodnnый |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Доусейн Статуса | Продан |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.29.0075 |
| Станодадж | 4 |
RF MOSFET
Болх
- Vishay Siliconix IRF510
- Vishay Siliconix IRF9510
- Vishay Siliconix IRFD9220
- Vishay Siliconix IRF840
- Vishay Siliconix IRFD110
- Vishay Siliconix IRFD9113
- Vishay Siliconix IRFD210
- Vishay Siliconix IRFD9110
- Vishay Siliconix IRFD9120
- Vishay Siliconix IRF9630
- Vishay Siliconix IRF610
- Vishay Siliconix IRF530
- Vishay Siliconix IRF620
- Vishay Siliconix IRF730
- Vishay Siliconix IRF740