Парметр | |
---|---|
Млн | NXP USA Inc. |
В припании | - |
Упако | Поднос |
Степень Продукта | Управо |
Тела | LDMOS |
ЧastoTA | - |
Прирост | - |
В конце | 28 |
Tykuщiй rerйting (amp) | 18:00 |
Ш | - |
ТОК - ТЕСТР | 600 май |
Питани - В.О. | 9 Вт |
Napraheneee - оинка | 65 |
МОНТАНАНГИП | ШASCI |
PakeT / KORPUES | SOT-502B |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | SOT502B |
Статус Ройс | Rohs3 |
Eccn | 5A991G |
Htsus | 8541.29.0075 |
Станодар | 20 |