Парметр | |
---|---|
Млн | NXP USA Inc. |
В припании | - |
Упако | Трубка |
Степень Продукта | Актифен |
Тела | LDMOS |
Коунфигура | ДОН, ОБИГИЯ ИСТОХАНЕК |
ЧastoTA | 2,11 ~ 2,17 гг. |
Прирост | 19.5db |
В конце | 28 |
Tykuщiй rerйting (amp) | 2 мка |
Ш | - |
ТОК - ТЕСТР | 550 май |
Питани - В.О. | 90 Вт |
Napraheneee - оинка | 65 |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
PakeT / KORPUES | SOT-1121B |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | Лд |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Доусейн Статуса | Продан |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 0000.00.0000 |
Станодадж | 6 |