Парметр | |
---|---|
Млн | NXP USA Inc. |
В припании | - |
Упако | Трубка |
Степень Продукта | Актифен |
Тела | LDMOS |
Коунфигура | ДОН, ОБИГИЯ ИСТОХАНЕК |
ЧastoTA | 1,93 ~ 1,99 -е |
Прирост | 18 дБ |
В конце | 28 |
Tykuщiй rerйting (amp) | 32,5а |
Ш | - |
ТОК - ТЕСТР | 1,08 А. |
Питани - В.О. | 45 Вт |
Napraheneee - оинка | 65 |
МОНТАНАНГИП | Флана |
PakeT / KORPUES | SOT-1121B |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | Лд |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Доусейн Статуса | Продан |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 0000.00.0000 |
Станодадж | 1 |