Парметр |
Млн | NXP USA Inc. |
В припании | - |
Упако | Трубка |
Степень Продукта | Актифен |
Тела | LDMOS |
Коунфигура | ДОН, ОБИГИЯ ИСТОХАНЕК |
ЧastoTA | 2,3 Гер |
Прирост | 18,5db |
В конце | 28 |
Tykuщiй rerйting (amp) | - |
Ш | - |
ТОК - ТЕСТР | 1,2 а |
Питани - В.О. | 30 st |
Napraheneee - оинка | 65 |
PakeT / KORPUES | SOT539B |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | SOT539B |
Baзowый nomer prodikta | BLF7G24 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Доусейн Статуса | Продан |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 0000.00.0000 |
Станодадж | 1 |
RF MOSFET 28 V 1,2 A 2,3 -ggц ~ 2,4 -ggц 18,5 дБ 30 Вт SOT539B