Парметр |
Млн | NXP USA Inc. |
В припании | - |
Упако | Трубка |
Степень Продукта | Актифен |
Тела | LDMOS |
Коунфигура | ДОН, ОБИГИЯ ИСТОХАНЕК |
ЧastoTA | 2,5 -е ~ 2,7 -е. |
Прирост | 18,5db |
В конце | 28 |
Tykuщiй rerйting (amp) | 18:00 |
Ш | - |
ТОК - ТЕСТР | 720 май |
Питани - В.О. | 16 Вт |
Napraheneee - оинка | 65 |
PakeT / KORPUES | SOT-1121B |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | Лд |
Baзowый nomer prodikta | BLF7G27 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Доусейн Статуса | Продан |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 0000.00.0000 |
Станодадж | 1 |
RF MOSFET 28 V 720 MMA 2,5 ГГА ~ 2,7 ГГА 18,5DB 16W LD