NXP USA Inc. BLF8G10LS -160,112 - NXP USA Inc. FETS, MOSFETS - BOM, Distributor, Quick Cotatation 365Day Гарантия
product_banner

NXP USA Inc. BLF8G10LS-160,112

Rf pfet, 1-эlemenntnый, uoltra-vыsokyй f

  • Проиджоделх: NXP USA Inc.
  • NoMerPOIзVODITELEL: NXP USA Inc. BLF8G10LS-160,112
  • Епаково: Трубка
  • Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
  • ЗapaS: 1137
  • Sku: BLF8G10LS-160,112
  • Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

Подрэбной

ТЕГИ

Парметр
Млн NXP USA Inc.
В припании -
Упако Трубка
Степень Продукта Актифен
Тела LDMOS
ЧastoTA 920 мг ~ 960 мг
Прирост 19.7db
В конце 30
Tykuщiй rerйting (amp) 5 Мка
Ш -
ТОК - ТЕСТР 1,1 а
Питани - В.О. 35 Вт
Napraheneee - оинка 65
МОНТАНАНГИП ШASCI
PakeT / KORPUES SOT-502B
ПАКЕТИВАЕТСЯ SOT502B
Статус Ройс Rohs3
Вернояж 1 (neograniчennnый)
Доусейн Статуса Продан
Eccn Ear99
Htsus 0000.00.0000
Станодадж 4
RF MOSFET 30- 1,1 A 920 мг ~ 960 мг.