NXP USA Inc. BLF8G10LS-270,112 - NXP USA Inc. FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

NXP USA Inc. BLF8G10LS-270,112

РФ ПФЕТ, 1-ЭЛЕМЕНТНЫЙ, СВЕРХВЫСОКОЕ F

  • Производитель: NXP США Инк.
  • Номер производителя: NXP USA Inc. BLF8G10LS-270,112
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 36
  • Артикул: BLF8G10LS-270,112
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $71.4300

Дополнительная цена:$71.4300

Подробности

Теги

Параметры
Производитель NXP США Инк.
Ряд -
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Технология ЛДМОС
Частота 820 МГц ~ 960 МГц
Прирост 18,5 дБ
Напряжение – Тест 28 В
Текущий рейтинг (А) 4,2 мкА
Коэффициент шума -
Текущий — Тест 2 А
Мощность — Выход 270 Вт
Напряжение - номинальное 65 В
Тип монтажа Крепление на шасси
Пакет/ключи СОТ-502Б
Поставщик пакета оборудования СОТ502Б
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH Поставщик не определен
ECCN EAR99
ХТСУС 0000.00.0000
Стандартный пакет 5
RF Mosfet 28 В 2 А 820–960 МГц 18,5 дБ 270 Вт SOT502B