Парметр |
Млн | NXP USA Inc. |
В припании | - |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Актифен |
Тела | LDMOS (DVOйNOй) |
Коунфигура | 2 n-канал |
ЧastoTA | 850 мг ~ 950 мг |
Прирост | 21.3db |
В конце | 50 |
Tykuщiй rerйting (amp) | 1 мка |
Ш | - |
ТОК - ТЕСТР | 100 май |
Питани - В.О. | 1050 Вт |
Napraheneee - оинка | 105 |
МОНТАНАНГИП | ШASCI |
PakeT / KORPUES | SOT-979A |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | NI-1230-4H |
Статус Ройс | Rohs3 |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Дрогин ИНЕНА | 568-MMRF1050HR6TR |
Станодар | 150 |
RF MOSFET 50- 100 мам 850 мг ~ 950 мг 21,3DB 1050W NI-1230-4