Парметр | |
---|---|
Млн | NXP USA Inc. |
В припании | - |
Упако | МАССА |
Степень Продукта | Активна |
Тела | LDMOS (DVOйNOй) |
Коунфигура | 2 n-канал |
ЧastoTA | 1,03 ~ 1,09 -ggц |
Прирост | 18.2db |
В конце | 50 |
Tykuщiй rerйting (amp) | 10 мк |
Ш | - |
ТОК - ТЕСТР | 100 май |
Питани - В.О. | 1500 Вт |
Napraheneee - оинка | 105 |
МОНТАНАНГИП | ШASCI |
PakeT / KORPUES | SOT-979A |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | NI-1230-4H |
Статус Ройс | Rohs3 |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Дрогин ИНЕНА | 568-MMRF1317H-1030 |
Станодар | 1 |