| Парметр | |
|---|---|
| Млн | NXP USA Inc. |
| В припании | - |
| Упако | МАССА |
| Степень Продукта | Актифен |
| Тела | LDMOS |
| Коунфигура | Дон |
| ЧastoTA | 1,8 мг ~ 400 мг |
| Прирост | 24.4db |
| В конце | 65 |
| Tykuщiй rerйting (amp) | 100 май |
| Ш | - |
| ТОК - ТЕСТР | 100 май |
| Питани - В.О. | 1800 г. |
| Napraheneee - оинка | 179 |
| МОНТАНАНГИП | ШASCI |
| PakeT / KORPUES | OM-1230-4L2L |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | OM-1230-4L2L |
| Статус Ройс | Neprigodnnый |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Доусейн Статуса | Продан |
| Станодадж | 50 |
RF MOSFET 65 В 100 Ма 1,8 мг ~ 400 мг.
Болх
- Vishay Siliconix IRF510
- Vishay Siliconix IRF9510
- Vishay Siliconix IRFD9220
- Vishay Siliconix IRF840
- Vishay Siliconix IRFD110
- Vishay Siliconix IRFD9113
- Vishay Siliconix IRFD210
- Vishay Siliconix IRFD9110
- Vishay Siliconix IRFD9120
- Vishay Siliconix IRF9630
- Vishay Siliconix IRF610
- Vishay Siliconix IRF530
- Vishay Siliconix IRF620
- Vishay Siliconix IRF730
- Vishay Siliconix IRF740