NXP USA Inc. PDTA113EMB, 315
Тепр nexperia pdta113emb - malenkyй
- Проиджоделх: NXP USA Inc.
- NoMerPOIзVODITELEL: NXP USA Inc. PDTA113EMB, 315
- Епаково: МАССА
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 140
- Sku: PDTA113EMB, 315
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | NXP USA Inc. |
| В припании | - |
| Упако | МАССА |
| Степень Продукта | Актифен |
| Это | Pnp - prervariotelno-cmepts |
| Current - Collector (IC) (MMAKS) | 100 май |
| Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | 50 |
| Rerзystor - baзa (r1) | 1 kohms |
| Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) | 1 kohms |
| DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce | 30 @ 40 май, 5 |
| Vce saturation (max) @ ib, ic | 150 мв 1,5 май, 30 |
| Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) | 100NA (ICBO) |
| ASTOTA - PRERESHOD | 180 мг |
| Синла - МАКС | 250 м |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | SC-101, SOT-883 |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | DFN1006B-3 |
| Baзowый nomer prodikta | PDTA113 |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.21.0075 |
| Станодадж | 1 |
Прреорително-внедженный krepleneee dfn1006b-3
