onsemi FDMT800120DC-22897 - полевые транзисторы onsemi, МОП-транзисторы - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

онсеми FDMT800120DC-22897

Полевой транзистор 120 В 4,2 МОм PQFN88

  • Производитель: онсеми
  • Номер производителя: онсеми FDMT800120DC-22897
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 4903
  • Артикул: FDMT800120DC-22897
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 7850 пФ при 60 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 3,2 Вт (Та), 156 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 8-Двойное охлаждение™88
Пакет/ключи 8-PowerVDFN
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 488-FDMT800120DC-22897TR
Стандартный пакет 3000
Производитель онсеми
Ряд PowerTrench®
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 120 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 20А (Та), 128А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 6В, 10В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 4,2 мОм при 20 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 107 НК при 10 В
N-канал 120 В 20 А (Ta), 128 А (Tc) 3,2 Вт (Ta), 156 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа 8-Dual Cool™88