ONSEMI FGAF30S65AQ
IGBT 650V 30A TO-3PF
- Проиджоделх: OnSemi
- NoMerPOIзVODITELEL: ONSEMI FGAF30S65AQ
- Епаково: Трубка
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian:-
- ЗapaS: 7663
- Sku: FGAF30S65AQ
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | OnSemi |
| В припании | - |
| Упако | Трубка |
| Степень Продукта | Управо |
| ТИП ИГБТ | По -прежнему |
| Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | 650 |
| Current - Collector (IC) (MMAKS) | 60 а |
| Ток - Коллексионер ипюльх (ICM) | 90 а |
| Vce (on) (max) @ vge, ic | 2.1V @ 15V, 30a |
| Синла - МАКС | 83 Вт |
| Переклхейн | 515 мкд (на), 140 мкд (выключен) |
| ТИПВ | Станода |
| ЗArAd -vvoROT | 58 NC |
| TD (ON/OFF) @ 25 ° C | 18NS/92NS |
| ИСЛОВЕЕ ИСПАН | 400 В, 15А, 13 ОМ, 15 В |
| ВОЗНАЯ ВОЗНА | 267 м |
| Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | Чereз dыru |
| PakeT / KORPUES | TO-3P-3 Full Pack |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | TO-3PF-3 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.29.0095 |
| Станодадж | 30 |
IGBT Trench Leat 650 V 60 A 83 ytreз oTwerSTIEED 3PF-3
Болх
- Infineon Technologies irgpc40ud2
- Infineon Technologies IRGBC30UD2
- Infineon Technologies IRGBC20FD2
- Infineon Technologies IRGPF50F
- Infineon Technologies IRGPC50F
- Infineon Technologies IRGBC40S
- Infineon Technologies IRGBC30S
- Infineon Technologies IRGPC50UD2
- Infineon Technologies IRGPC50FD2
- Infineon Technologies IRGPC40FD2
- Infineon Technologies IRGPC30FD2
- Infineon Technologies Irgbc20ud2
- Infineon Technologies IRGBC30FD2
- Infineon Technologies IRGPH50F
- Infineon Technologies IRGPH40F