OnSemi FGHL75T65LQDT
FS4 Low VCESAT IGBT 650V 75A TO2
- Проиджоделх: OnSemi
- NoMerPOIзVODITELEL: OnSemi FGHL75T65LQDT
- Епаково: Трубка
- Theхniчeskaya spehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 6483
- Sku: FGHL75T65LQDT
- Xenobraзavanie: Mы ofзdali yasklючotelno giebkuю и коэнкузенто.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | OnSemi |
| В припании | - |
| Упако | Трубка |
| Степень Продукта | Актифен |
| ТИП ИГБТ | По -прежнему |
| Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | 650 |
| Current - Collector (IC) (MMAKS) | 80 а |
| Ток - Коллексионер ипюльх (ICM) | 300 а |
| Vce (on) (max) @ vge, ic | 1,35 В @ 15V, 75A |
| Синла - МАКС | 469 Вт |
| Переклхейн | 1,88MJ (ON), 2,38MJ (OFF) |
| ТИПВ | Станода |
| ЗArAd -vvoROT | 793 NC |
| TD (ON/OFF) @ 25 ° C | 48NS/568NS |
| ИСЛОВЕЕ ИСПАН | 400 В, 75а, 4,7 ОМ, 15 |
| ВОЗНАЯ ВОЗНА | 152 м |
| Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | Чereз dыru |
| PakeT / KORPUES | 247-3 |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 247-3 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | Neprigodnnый |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.29.0095 |
| Дрогин ИНЕНА | 488-FGHL75T65LQDT |
| Станодадж | 450 |
Полевое поле IGBT Стоп 650 В 80 A 469 sthereз oTwerStie oDO 247-3
Болх
- Infineon Technologies irgpc40ud2
- Infineon Technologies IRGBC30UD2
- Infineon Technologies IRGBC20FD2
- Infineon Technologies IRGPF50F
- Infineon Technologies IRGPC50F
- Infineon Technologies IRGBC40S
- Infineon Technologies IRGBC30S
- Infineon Technologies IRGPC50UD2
- Infineon Technologies IRGPC50FD2
- Infineon Technologies IRGPC40FD2
- Infineon Technologies IRGPC30FD2
- Infineon Technologies Irgbc20ud2
- Infineon Technologies IRGBC30FD2
- Infineon Technologies IRGPH50F
- Infineon Technologies IRGPH40F