Парметр |
Млн | OnSemi |
В припании | - |
Упако | МАССА |
Степень Продукта | Управо |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Коунфигура | 2 P-KANOL (DVOйNOй) |
FET FUONKSHINA | Logiчeskichй yrowenhe |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 25 В |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 2.5A |
Rds on (max) @ id, vgs | 250mohm @ 2a, 10v |
Vgs (th) (max) @ id | 3 В @ 250 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 15NC @ 10V |
Взёр. | 475pf @ 16V |
Синла - МАКС | 2W |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
PakeT / KORPUES | 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 8 лейт |
Baзowый nomer prodikta | MMDF2 |
Статус Ройс | Rohs |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Станодадж | 2500 |
MOSFET Array 25 В 2,5A 2W поверхностное крепление 8 SOIC