| Парметр | |
|---|---|
| Млн | OnSemi |
| В припании | SPM® |
| Упако | Трубка |
| Степень Продукта | Управо |
| ТИП | Igbt |
| Коунфигура | 1 феврал |
| ТЕКУИГИГ | 50 а |
| Naprayeseee | 1,2 кв |
| Naprayжeniee - yзolyahip | 2500vrms |
| МОНТАНАНГИП | Чereз dыru |
| PakeT / KORPUES | Модуль 30-PowerDip (1385 ", 35,17 мм) |
| Baзowый nomer prodikta | NFAL5012 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8542.39.0001 |
| Дрогин ИНЕНА | 488-NFAL5012L5B |
| Станодадж | 6 |
Модульбпитании Igbt 1 феврал.
Болх
- Infineon Technologies Iramx16up60a
- Infineon Technologies Irams10up60a
- Infineon Technologies Irams06up60b
- Infineon Technologies Irams10up60b
- Infineon Technologies Irams06up60a
- Vishay General Semiconductor -Diodes Division EMP15P12D
- OnSemi FCAS50SN60
- ONSEMI FSAM10SH60A
- ONSEMI FSAM10SM60A
- ONSEMI FSAM15SH60A
- ONSEMI FSAM15SL60
- ONSEMI FSAM15SM60A
- ONSEMI FSAM20SH60A
- ONSEMI FSAM20SL60
- ONSEMI FSAM20SM60A