| Парметр | |
|---|---|
| Млн | OnSemi |
| В припании | - |
| Упако | Трубка |
| Степень Продукта | Управо |
| ТИП | Igbt |
| Коунфигура | 3 февраля |
| ТЕКУИГИГ | 10 а |
| Naprayeseee | 1,2 кв |
| Naprayжeniee - yзolyahip | 2500vrms |
| МОНТАНАНГИП | Чereз dыru |
| PakeT / KORPUES | Модуль 39-PowerDip (1413 ", 35,90 мм), 29 Свин |
| Baзowый nomer prodikta | NFAM1012 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | Neprigodnnый |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8542.39.0001 |
| Дрогин ИНЕНА | 488-NFAM1012L5B |
| Станодадж | 90 |
Модулбпитания Igbt 3 февраля 1,2 кв 10 A 39-PowerDip Модуль (1,413 ", 35,90 м), 29 провод.
Болх
- Infineon Technologies Iramx16up60a
- Infineon Technologies Irams10up60a
- Infineon Technologies Irams06up60b
- Infineon Technologies Irams10up60b
- Infineon Technologies Irams06up60a
- Vishay General Semiconductor -Diodes Division EMP15P12D
- OnSemi FCAS50SN60
- ONSEMI FSAM10SH60A
- ONSEMI FSAM10SM60A
- ONSEMI FSAM15SH60A
- ONSEMI FSAM15SL60
- ONSEMI FSAM15SM60A
- ONSEMI FSAM20SH60A
- ONSEMI FSAM20SL60
- ONSEMI FSAM20SM60A