onsemi NGTD13T120F2WP - onsemi IGBT - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

онсеми NGTD13T120F2WP

ПОЛЕВОЙ СТОПОР IGBT TRENCH

  • Производитель: онсеми
  • Номер производителя: онсеми NGTD13T120F2WP
  • Упаковка: Поднос
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 3666
  • Артикул: NGTD13T120F2WP
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель онсеми
Ряд -
Упаковка Поднос
Статус продукта Устаревший
Тип БТИЗ Траншейная полевая остановка
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 1200 В
Ток-коллекторный импульсный (Icm) 60 А
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2,4 В при 15 В, 15 А
Переключение энергии -
Тип входа Стандартный
Td (вкл/выкл) при 25°C -
Условия испытаний -
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи Править
Поставщик пакета оборудования вафля
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 488-NGTD13T120F2WP
Стандартный пакет 1
IGBT Trench Field Stop, 1200 В, пластина для поверхностного монтажа