onsemi NTBG014N120M3P - полевые транзисторы onsemi, МОП-транзисторы - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

онсеми NTBG014N120M3P

SIC MOSFET 1200 В 14 МОм M3P SE

  • Производитель: онсеми
  • Номер производителя: онсеми NTBG014N120M3P
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 797
  • Артикул: НТБГ014Н120М3П
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $49.0300

Дополнительная цена:$49.0300

Подробности

Теги

Параметры
Производитель онсеми
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология SiCFET (карбид кремния)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 104А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 15В, 18В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 20 мОм при 74 А, 18 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4,63 В при 37 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 337 НК при 18 В
ВГС (Макс) +22В, -10В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 6313 пФ при 800 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 454 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования Д2ПАК-7
Пакет/ключи ТО-263-8, Д²Пак (7 отведений + вкладка), ТО-263СА
Базовый номер продукта НТБГ014
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 800
N-канальный 1200 В, 104 А (Tc) 454 Вт (Tc) для поверхностного монтажа D2PAK-7