онсеми NTBG022N120M3S
SIC MOSFET 1200 В 22 МОм M3S SE
- Производитель: онсеми
- Номер производителя: онсеми NTBG022N120M3S
- Упаковка: Лента и катушка (TR)
- Техническая спецификация: PDF
- Запас: 5282
- Артикул: НТБГ022Н120М3С
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Производитель | онсеми |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Тип полярного транзистора | N-канал |
| Технология | SiCFET (карбид кремния) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 1200 В |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 58А (Тс) |
| Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) | 18В |
| Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | 30 мОм при 40 А, 18 В |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 4,4 В при 20 мА |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 20 НК при 18 В |
| ВГС (Макс) | +22В, -10В |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 3200 пФ при 800 В |
| Особенность левого транзистора | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 234 Вт (Тс) |
| Рабочая температура | -55°С ~ 175°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Поставщик пакета оборудования | Д2ПАК-7 |
| Пакет/ключи | ТО-263-8, Д²Пак (7 отведений + вкладка), ТО-263СА |
| Базовый номер продукта | НТБГ022 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Другие имена | 488-НТБГ022Н120М3СТР |
| Стандартный пакет | 800 |
N-канальный 1200 В 58 А (Tc) 234 Вт (Tc) для поверхностного монтажа D2PAK-7
Больше продуктов
- Vishay Силиконикс IRF510
- Vishay Силиконикс IRF9510
- Vishay Силиконикс IRFD9220
- Vishay Силиконикс IRF840
- Vishay Siliconix IRFD110
- Vishay Siliconix IRFD9113
- Vishay Siliconix IRFD210
- Vishay Силиконикс IRFD9110
- Vishay Siliconix IRFD9120
- Vishay Силиконикс IRF9630
- Вишай Силиконикс IRF610
- Vishay Силиконикс IRF530
- Vishay Силиконикс IRF620
- Vishay Силиконикс IRF730
- Vishay Силиконикс IRF740