onsemi NTBG028N170M1 - полевые транзисторы onsemi, МОП-транзисторы - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

онсеми NTBG028N170M1

SIC MOSFET 1700 В 28 МОм M1 SER

  • Производитель: онсеми
  • Номер производителя: онсеми NTBG028N170M1
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 1847 г.
  • Артикул: НТБГ028Н170М1
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $42,9900

Дополнительная цена:$42,9900

Подробности

Теги

Параметры
Производитель онсеми
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология SiCFET (карбид кремния)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 1700 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 71А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 20 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 40 мОм при 60 А, 20 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4,3 В @ 20 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 222 НК @ 20 В
ВГС (Макс) +25В, -15В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4160 пФ при 800 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 428 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования Д2ПАК-7
Пакет/ключи ТО-263-8, Д²Пак (7 отведений + вкладка), ТО-263СА
Базовый номер продукта НТБГ028
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 488-НТБГ028Н170М1ТР
Стандартный пакет 800
N-канальный 1700 В, 71 А (Tc) 428 Вт (Tc) для поверхностного монтажа D2PAK-7