onsemi NTMFS3D2N10MDT1G - полевые транзисторы onsemi, МОП-транзисторы - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

онсеми NTMFS3D2N10MDT1G

ПТНГ 100 В НИЗКИЙ Q3,2 МОм N-FET, HE

  • Производитель: онсеми
  • Номер производителя: онсеми NTMFS3D2N10MDT1G
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 807
  • Артикул: НТМФС3Д2Н10МДТ1Г
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $3.2600

Дополнительная цена:$3.2600

Подробности

Теги

Параметры
Производитель онсеми
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 19А (Та), 142А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 6В, 10В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 3,5 мОм при 50 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В при 316 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 71,3 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3900 пФ при 50 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 2,8 Вт (Та), 155 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 5-ДФН (5х6) (8-СОФЛ)
Пакет/ключи 8-PowerTDFN, 5 выводов
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 1500
N-канал 100 В 19 А (Ta), 142 А (Tc) 2,8 Вт (Ta), 155 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа 5-DFN (5x6) (8-SOFL)