onsemi NVBG022N120M3S - полевые транзисторы onsemi, МОП-транзисторы - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

онсеми NVBG022N120M3S

СИК МОС Д2ПАК-7Л 22МОм 1200В

  • Производитель: онсеми
  • Номер производителя: онсеми NVBG022N120M3S
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 8640
  • Артикул: НВБГ022Н120М3С
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $36.5354

Дополнительная цена:$36.5354

Подробности

Теги

Параметры
Производитель онсеми
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q101
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология SiCFET (карбид кремния)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 58А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 18В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 30 мОм при 40 А, 18 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4,4 В при 20 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 148 НК @ 18 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3200 пФ при 800 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 234 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования Д2ПАК-7
Пакет/ключи ТО-263-8, Д²Пак (7 отведений + вкладка), ТО-263СА
Базовый номер продукта НВБГ022
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 488-НВБГ022Н120М3СТР
Стандартный пакет 800
N-канальный 1200 В 58 А (Tc) 234 Вт (Tc) для поверхностного монтажа D2PAK-7