onsemi NXH010P120MNF1PNG - полевые транзисторы onsemi, МОП-транзисторы - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

онсеми NXH010P120MNF1PNG

ПОЛУМОСТ PIM F1 SIC 1200В 10МО

  • Производитель: онсеми
  • Номер производителя: онсеми NXH010P120MNF1PNG
  • Упаковка: Поднос
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 8303
  • Артикул: NXH010P120MNF1PNG
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $194.4600

Дополнительная цена:$194.4600

Подробности

Теги

Параметры
Производитель онсеми
Ряд -
Упаковка Поднос
Статус продукта Активный
Технология Карбид кремния (SiC)
Конфигурация 2 N-канала (двойной)
Особенность левого транзистора -
Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 В (1,2 кВ)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 114А (Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 14 мОм при 100 А, 20 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4,3 В при 40 мА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 454 НК при 20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4707пФ при 800В
Мощность - Макс. 250 Вт (ТДж)
Рабочая температура -40°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Крепление на шасси
Пакет/ключи Модуль
Поставщик пакета оборудования -
Базовый номер продукта NXH010
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) Непригодный
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 488-NXH010P120MNF1PNG
Стандартный пакет 28
Массив МОП-транзисторов 1200 В (1,2 кВ), 114 А (Tc), 250 Вт (Tj), крепление на шасси