onsemi NXH100B120H3Q0SG - onsemi IGBT - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

онсеми NXH100B120H3Q0SG

ПИМ 60-80кВт Q0BOOST-L57 1200В, 1

  • Производитель: онсеми
  • Номер производителя: онсеми NXH100B120H3Q0SG
  • Упаковка: Поднос
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 20
  • Артикул: NXH100B120H3Q0SG
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $90.1200

Дополнительная цена:$90.1200

Подробности

Теги

Параметры
Производитель онсеми
Ряд -
Упаковка Поднос
Статус продукта Активный
Тип БТИЗ Траншейная полевая остановка
Конфигурация 2 независимых
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 1200 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 61 А
Мощность - Макс. 186 Вт
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2,3 В @ 15 В, 50 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) 200 мкА
Входная емкость (Cies) при Vce 9,075 нФ при 20 В
Вход Стандартный
НТЦ Термистор Нет
Рабочая температура -40°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Крепление на шасси
Пакет/ключи Модуль
Поставщик пакета оборудования 22-ПИМ/Q0BOOST (55x32,5)
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) Непригодный
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 488-NXH100B120H3Q0SG
Стандартный пакет 24
Модуль IGBT Trench Field Stop 2 независимо 1200 В, 61 А, 186 Вт, монтаж на шасси 22-PIM/Q0BOOST (55x32,5)