onsemi NXH200T120H3Q2F2STNG - onsemi IGBT - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

онсеми NXH200T120H3Q2F2STNG

МОДУЛЬ GEN-II Q2PACK-200A 80 КВТ Вт

  • Производитель: онсеми
  • Номер производителя: онсеми NXH200T120H3Q2F2STNG
  • Упаковка: Поднос
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 4063
  • Артикул: NXH200T120H3Q2F2STNG
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $215.8400

Дополнительная цена:$215.8400

Подробности

Теги

Параметры
Производитель онсеми
Ряд -
Упаковка Поднос
Статус продукта Активный
Тип БТИЗ Траншейная полевая остановка
Конфигурация Половина моста
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 650 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 330 А
Мощность - Макс. 679 Вт
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2,3 В @ 15 В, 200 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) 500 мкА
Входная емкость (Cies) при Vce 35615 нФ при 25 В
Вход Стандартный
НТЦ Термистор Нет
Рабочая температура -40°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Крепление на шасси
Пакет/ключи Модуль
Поставщик пакета оборудования 56-ПИМ/Q2ПАК (93x47)
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) Непригодный
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 488-NXH200T120H3Q2F2STNG
Стандартный пакет 12
Модуль IGBT Trench Field Stop Полумость 650 В 330 А 679 Вт Монтаж на шасси 56-PIM/Q2PACK (93x47)