onsemi NXH300B100H4Q2F2S1G - onsemi IGBT - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

онсеми NXH300B100H4Q2F2S1G

ПИМ 1500В 250КВТ Q2BOOST

  • Производитель: онсеми
  • Номер производителя: онсеми NXH300B100H4Q2F2S1G
  • Упаковка: Поднос
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 1923 год
  • Артикул: NXH300B100H4Q2F2S1G
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $193,8300

Дополнительная цена:$193,8300

Подробности

Теги

Параметры
Производитель онсеми
Ряд -
Упаковка Поднос
Статус продукта Активный
Тип БТИЗ Траншейная полевая остановка
Конфигурация Двойной, общий источник
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 1118 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 73 А
Мощность - Макс. 194 Вт
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2,25 В при 15 В, 100 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) 800 мкА
Входная емкость (Cies) при Vce 6323 нФ при 20 В
Вход Стандартный
НТЦ Термистор Да
Рабочая температура -40°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Крепление на шасси
Пакет/ключи Модуль
Поставщик пакета оборудования 53-ПИМ/Q2ПАК (93x47)
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) Непригодный
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 36
Модуль IGBT Trench Field Stop, двойной, общий источник, 1118 В, 73 А, 194 Вт, монтаж на шасси 53-PIM/Q2PACK (93x47)